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| 规格书 |
 NTD4806N |
| 文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2142pF @ 12V |
| 功率 - 最大 | 1.33W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
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